DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 827-0493
- Producentens varenummer:
- DMN6070SSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 70,54
(ekskl. moms)
Kr. 88,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.220 enhed(er) afsendes fra 30. juli 2026
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 28. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 3,527 | Kr. 70,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-0493
- Producentens varenummer:
- DMN6070SSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.75V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.75V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 4.1 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 7.5 A 30 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 7.6 A 20 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 4.4 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 6.6 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 40 V Forbedring SOIC AEC-Q100 AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 7 A 40 V Forbedring SOIC AEC-Q200 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 4.8 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101