DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 5.8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- RS-varenummer:
- 922-8597
- Producentens varenummer:
- DMP4025LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 5.857,50
(ekskl. moms)
Kr. 7.322,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,343 | Kr. 5.857,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 922-8597
- Producentens varenummer:
- DMP4025LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.14W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 4.95mm | |
| Standarder/godkendelser | MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.14W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.7V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 4.95mm | ||
Standarder/godkendelser MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 40 V Forbedring SOIC AEC-Q100 AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 30 V Forbedring SOP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 30 V Forbedring SOP AEC-Q101 DMP3056LSD-13
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 7 A 40 V Forbedring SOIC AEC-Q200 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 3.8 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 580 mA 60 V Forbedring SM AEC-Q200 AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 21 A 30 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Type P-Kanal 150 A 20 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101, AEC-Q200
