DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 7 A, 8,5 A 30 V, 8 ben, SOIC DMC3021LSD-13
- RS-varenummer:
- 751-4067
- Producentens varenummer:
- DMC3021LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 77,275
(ekskl. moms)
Kr. 96,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 25 enhed(er) afsendes fra 17. november 2025
- Plus 75 enhed(er) afsendes fra 17. november 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 3,091 | Kr. 77,28 |
| 125 - 600 | Kr. 2,402 | Kr. 60,05 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,996 | Kr. 49,90 |
| 1250 + | Kr. 1,604 | Kr. 40,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 751-4067
- Producentens varenummer:
- DMC3021LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N, P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 7 A, 8,5 A | |
| Drain source spænding maks. | 30 V | |
| Kapslingstype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. | 32 mΩ, 53 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.2V | |
| Effektafsættelse maks. | 2,5 W | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 16,1 nC ved 10 V, 21,1 nC ved 4,5 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.95mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N, P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 7 A, 8,5 A | ||
Drain source spænding maks. 30 V | ||
Kapslingstype SOIC | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. 32 mΩ, 53 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2.2V | ||
Effektafsættelse maks. 2,5 W | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 16,1 nC ved 10 V, 21,1 nC ved 4,5 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 4.95mm | ||
Bredde 3.95mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 1.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 7 A5 A 30 V SOIC DMC3021LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 10 8 ben, SOIC DMC3016LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 3 8 ben, SOIC DMHC6070LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 4 8 ben, SOIC DMHC4035LSDQ-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 8 8 ben, SOIC DMC3026LSD-13
- DiodesZetex P-Kanal 3 8 ben, SOIC DMP3085LSD-13
- DiodesZetex P-Kanal 11 8 ben, SOIC DMPH4015SSSQ-13
- DiodesZetex P-Kanal 12 A 30 V SOIC DMG4413LSS-13
