DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 8.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100,
- RS-varenummer:
- 122-0202
- Producentens varenummer:
- DMC3021LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 3.805,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.755,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,522 | Kr. 3.805,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 122-0202
- Producentens varenummer:
- DMC3021LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 53mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.8nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Bredde | 3.95mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 53mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.8nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Bredde 3.95mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN