MPN

DiodesZetex 4 Type N, Type P-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 1.8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC Nej ZXMHC6A07N8TC

RS-varenummer:: 751-5348
Producentens varenummer:: ZXMHC6A07N8TC
Brand:: DiodesZetex

DiodesZetex 4 Type N, Type P-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 1.8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC Nej ZXMHC6A07N8TC

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 35,49

(ekskl. moms)

Kr. 44,36

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

7.395 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 7,098	Kr. 35,49

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 751-5348
Producentens varenummer:: ZXMHC6A07N8TC
Brand:: DiodesZetex

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	DiodesZetex
	Kanaltype	Type N, Type P
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.8A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SOIC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	350mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	0.8V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.36W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	150°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	3.2nC
	Transistorkonfiguration	Helbro
	Driftstemperatur maks.	-55°C
	Højde	1.5mm
	Bredde	4 mm
	Standarder/godkendelser	UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202
	Længde	5mm
	Antal elementer per chip	4
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand DiodesZetex
	Kanaltype Type N, Type P
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SOIC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 350mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 0.8V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.36W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur 150°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.2nC
	Transistorkonfiguration Helbro
	Driftstemperatur maks. -55°C
	Højde 1.5mm
	Bredde 4 mm
	Standarder/godkendelser UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202
	Længde 5mm
	Antal elementer per chip 4
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

DiodesZetex 4 Type N, Type P-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 1.8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC Nej ZXMHC6A07N8TC

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Supplerende udvidelsesmodus MOSFET H-bro, Diodes Inc.

MOSFET transistorer, Diodes Inc.

Relaterede links