DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 3.1 A 30 V Forbedring, 8 Ben Nej
- RS-varenummer:
- 922-8594
- Producentens varenummer:
- ZXMHC3A01T8TA
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 6.556,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.195,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 20. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 6,556 | Kr. 6.556,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 922-8594
- Producentens varenummer:
- ZXMHC3A01T8TA
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 330mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.9nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.95V | |
| Transistorkonfiguration | Helbro | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Højde | 1.6mm | |
| Standarder/godkendelser | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Længde | 6.7mm | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 330mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.9nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.95V | ||
Transistorkonfiguration Helbro | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Højde 1.6mm | ||
Standarder/godkendelser MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Længde 6.7mm | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Supplerende udvidelsesmodus MOSFET H-bro, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben Nej ZXMHC3A01T8TA
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben Nej
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben Nej ZXMHC6A07T8TA
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej ZXMHC3F381N8TC
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej ZXMHC6A07N8TC
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 30 V Forbedring SOIC Nej