MPN

DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 3.1 A 30 V Forbedring, 8 Ben

RS-varenummer:: 823-1877
Producentens varenummer:: ZXMHC3A01T8TA
Brand:: DiodesZetex

DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 3.1 A 30 V Forbedring, 8 Ben

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 59,24

(ekskl. moms)

Kr. 74,05

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

860 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 10	Kr. 11,848	Kr. 59,24
15 - 45	Kr. 10,664	Kr. 53,32
50 +	Kr. 9,478	Kr. 47,39

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 823-1877
Producentens varenummer:: ZXMHC3A01T8TA
Brand:: DiodesZetex

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	DiodesZetex
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.1A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	330mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	1.7W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	3.9nC
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf	0.95V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Transistorkonfiguration	Helbro
	Højde	1.6mm
	Længde	6.7mm
	Standarder/godkendelser	MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020
	Bredde	3.7mm
	Antal elementer per chip	4
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand DiodesZetex
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type P, Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 330mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 1.7W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.9nC
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf 0.95V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Transistorkonfiguration Helbro
	Højde 1.6mm
	Længde 6.7mm
	Standarder/godkendelser MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020
	Bredde 3.7mm
	Antal elementer per chip 4
	Bilindustristandarder Nej

Supplerende udvidelsesmodus MOSFET H-bro, Diodes Inc.

MOSFET transistorer, Diodes Inc.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.