MPN

DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 4.98 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC

RS-varenummer:: 751-5344
Producentens varenummer:: ZXMHC3F381N8TC
Brand:: DiodesZetex

DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 4.98 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 54,30

(ekskl. moms)

Kr. 67,90

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 5 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Plus 24.400 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 20	Kr. 10,86	Kr. 54,30
25 - 120	Kr. 8,318	Kr. 41,59
125 - 620	Kr. 6,568	Kr. 32,84
625 - 1245	Kr. 5,85	Kr. 29,25
1250 +	Kr. 5,31	Kr. 26,55

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 751-5344
Producentens varenummer:: ZXMHC3F381N8TC
Brand:: DiodesZetex

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	DiodesZetex
	Kanaltype	Type P, Type N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4.98A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SOIC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	80mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	1.35W
	Gennemgangsspænding Vf	0.82V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	9nC
	Min. driftstemperatur	150°C
	Driftstemperatur maks.	-55°C
	Transistorkonfiguration	Helbro
	Højde	1.5mm
	Standarder/godkendelser	RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020
	Længde	5mm
	Antal elementer per chip	4
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand DiodesZetex
	Kanaltype Type P, Type N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.98A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SOIC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 80mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 1.35W
	Gennemgangsspænding Vf 0.82V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC
	Min. driftstemperatur 150°C
	Driftstemperatur maks. -55°C
	Transistorkonfiguration Helbro
	Højde 1.5mm
	Standarder/godkendelser RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020
	Længde 5mm
	Antal elementer per chip 4
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Supplerende udvidelsesmodus MOSFET H-bro, Diodes Inc.

MOSFET transistorer, Diodes Inc.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.