DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 4.98 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC Nej ZXMHC3F381N8TC
- RS-varenummer:
- 751-5344
- Producentens varenummer:
- ZXMHC3F381N8TC
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 36,98
(ekskl. moms)
Kr. 46,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 24.440 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 7,396 | Kr. 36,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 751-5344
- Producentens varenummer:
- ZXMHC3F381N8TC
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.98A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.35W | |
| Transistorkonfiguration | Helbro | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Bredde | 4 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.98A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.35W | ||
Transistorkonfiguration Helbro | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Bredde 4 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Supplerende udvidelsesmodus MOSFET H-bro, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 4 4 8 ben, SOIC ZXMHC3F381N8TC
- DiodesZetex N-Kanal 4 8 ben, SOIC DMN6070SSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 1 1 8 ben, SOIC ZXMHC6A07N8TC
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 4 8 ben, SOIC ZXMC4559DN8TA
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 5 6 8 ben, SOIC ZXMC3A16DN8TA
- DiodesZetex P-Kanal 4 8 ben, SOIC ZXMP6A18DN8TA
- DiodesZetex P-Kanal 5 8 ben, SOIC ZXMP3A16DN8TA
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 4 8 ben, SOIC DMHC4035LSDQ-13
