DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 6.4 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC Nej ZXMC3A16DN8TA
- RS-varenummer:
- 770-3393
- Producentens varenummer:
- ZXMC3A16DN8TA
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 bånd af 5 enheder)*
Kr. 42,73
(ekskl. moms)
Kr. 53,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 750 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 8,546 | Kr. 42,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 770-3393
- Producentens varenummer:
- ZXMC3A16DN8TA
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej ZXMHC3F381N8TC
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC Nej ZXMHC6A07N8TC
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 30 V Forbedring SOIC Nej
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 4.8 A 60 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 30 V Forbedring SOIC Nej DMP3085LSD-13