DiodesZetex 4 Type P, Type N-Kanal Helbro, MOSFET, 7.8 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101 DMHC3025LSD-13
- RS-varenummer:
- 823-3211
- Producentens varenummer:
- DMHC3025LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 37,64
(ekskl. moms)
Kr. 47,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 24.060 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 3,764 | Kr. 37,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 823-3211
- Producentens varenummer:
- DMHC3025LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Helbro | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Helbro | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Længde 4.95mm | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Supplerende udvidelsesmodus MOSFET H-bro, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 7 8 ben, SOIC DMHC3025LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 4 8 ben, SOIC DMHC4035LSDQ-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 3 8 ben, SOIC DMHC6070LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 8 8 ben, SOIC DMC3026LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 10 8 ben, SOIC DMC3016LSD-13
- DiodesZetex P-Kanal 5 8 ben, SOIC DMP4025LSD-13
- DiodesZetex P-Kanal 11 8 ben, SOIC DMPH4015SSSQ-13
- DiodesZetex P-Kanal 3 8 ben, SOIC DMP3085LSD-13
