DiodesZetex 4 Type N, Type P-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 1.8 A 60 V Forbedring, 8 Ben
- RS-varenummer:
- 669-7461
- Producentens varenummer:
- ZXMHC6A07T8TA
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 32,39
(ekskl. moms)
Kr. 40,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Afsendelse fra 28. januar 2027
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 16,195 | Kr. 32,39 |
| 10 - 48 | Kr. 13,84 | Kr. 27,68 |
| 50 - 248 | Kr. 13,24 | Kr. 26,48 |
| 250 - 498 | Kr. 10,96 | Kr. 21,92 |
| 500 + | Kr. 10,025 | Kr. 20,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 669-7461
- Producentens varenummer:
- ZXMHC6A07T8TA
- Brand:
- DiodesZetex
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 425mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.85V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.7W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Transistorkonfiguration | Helbro | |
| Bredde | 3.7mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Længde | 6.7mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 425mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.85V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.7W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Transistorkonfiguration Helbro | ||
Bredde 3.7mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Længde 6.7mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Supplerende udvidelsesmodus MOSFET H-bro, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal -1.8 A -400 V Forbedring IPAK, IRFU9310
- Vishay Type P-Kanal -1.8 A -60 V Forbedring SOT-223, IRFL9014
