Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, -1.8 A -400 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, IRFU9310

RS-varenummer:: 919-4505
Producentens varenummer:: IRFU9310PBF
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, Effekt MOSFET, -1.8 A -400 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, IRFU9310

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 474,675

(ekskl. moms)

Kr. 593,325

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

13.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
75 +	Kr. 6,329	Kr. 474,68

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4505
Producentens varenummer:: IRFU9310PBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-1.8A
	Drain source spænding maks. Vds	-400V
	Emballagetype	IPAK
	Serie	IRFU9310
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	7Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	13nC
	Effektafsættelse maks. Pd	50W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	-4V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	2.38mm
	Længde	6.73mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	6.22mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -1.8A
	Drain source spænding maks. Vds -400V
	Emballagetype IPAK
	Serie IRFU9310
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 7Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC
	Effektafsættelse maks. Pd 50W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf -4V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 2.38mm
	Længde 6.73mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 6.22mm
	Bilindustristandarder Nej

Vishay IRFU9310 seriens Power MOSFET, -400 V maksimal drain source-spænding, -1,8 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFU9310PBF

Denne effekt-MOSFET er en P-kanals koblingsenhed, der er designet til højspændingsanvendelser i industriel elektronik. Den fungerer som en forstærkningstransistor, der er velegnet til montering gennem hul og er beregnet til kredsløb, der kræver omskiftning med negativ polaritet med moderat strøm og høj blokeringsspænding.

Egenskaber og fordele:

• Mærket til -400 V drain-kildespænding, der muliggør højspændingsswitching
• Maks. kontinuerlig afløbsstrøm -1,8 A understøtter drift med moderat belastning
• Maks. effekttab på 50 W giver mulighed for robust termisk håndtering
• Typisk gate-ladning 13 nC, der reducerer koblingstab
• Maksimal gate-source-spænding 20 V giver sikker gate-drive-margen
• Driftsområde -55 °C til 150 °C, der muliggør brede temperaturmiljøer

Anvendelser

• Velegnet til højspændings-polaritetsomskifterkredsløb i strømforsyninger
• Ideel til belastningsswitching i industrielle automationspaneler
• Anvendes til omskiftning i diskrete trin i motorstyringselektronik
• Kan bruges til omskiftning på negativ side i strømfordelingsmoduler

Hvilken pakkestype bruger den til prototypefremstilling og samling?

Enheden leveres i en IPAK-pakke med gennemgående hul med tre ben til håndlodning eller bølgelodningsprocesser.

Hvordan påvirker modstanden ved tænding den termiske ydeevne?

Den maksimale drain-source-modstand på 7 Ω øger ledningstab ved højere strømme, hvilket kræver tilstrækkelig kølelegeme for at opretholde forbindelsestemperaturen inden for grænserne.

Hvilke miljømæssige grænser regulerer kontinuerlig drift?

Den kan drives ned til -55 °C og op til 150 °C, så termisk styring og omgivelsesforhold skal overvejes for pålidelig langvarig brug.

Er den velegnet til systemer i bilkvalitet?

Komponenten er ikke specificeret iht. bilstandarder

iht. godkendelsesliste kun RoHS.