DiodesZetex Type N, Type P-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC Nej

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 9.400,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.750,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,76Kr. 9.400,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
246-6781
Producentens varenummer:
DMHC6070LSD-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type P

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.25Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

DiodesZetex udgør en ny generation af supplerende MOSFET H-bro, der har lav modstand, der kan opnås med lavt gate-drev. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SO-8-emballage. Det giver hurtig switching og lav indgangskapacitet. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC

Den maksimale afløbsspænding til kildespænding er 60 V, og den maksimale gate-to-kildespænding er ± 20 V 2 N-kanal og 2 P-kanaler i et SOIC-hus giver lav modstand

Relaterede links