DiodesZetex Type N, Type P-Kanal, MOSFET 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC Nej DMHC6070LSD-13
- RS-varenummer:
- 246-7504
- Producentens varenummer:
- DMHC6070LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 73,65
(ekskl. moms)
Kr. 92,06
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.340 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 7,365 | Kr. 73,65 |
| 50 - 90 | Kr. 7,203 | Kr. 72,03 |
| 100 - 240 | Kr. 5,722 | Kr. 57,22 |
| 250 - 990 | Kr. 5,588 | Kr. 55,88 |
| 1000 + | Kr. 5,071 | Kr. 50,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7504
- Producentens varenummer:
- DMHC6070LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.25Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.25Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex udgør en ny generation af supplerende MOSFET H-bro, der har lav modstand, der kan opnås med lavt gate-drev. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SO-8-emballage. Det giver hurtig switching og lav indgangskapacitet. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC
Den maksimale afløbsspænding til kildespænding er 60 V, og den maksimale gate-to-kildespænding er ± 20 V 2 N-kanal og 2 P-kanaler i et SOIC-hus giver lav modstand
Relaterede links
- DiodesZetex Type N MOSFET 60 V Forbedring SOIC Nej
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.5 A 60 V Forbedring SOIC, DMP AEC-Q101 DMP6110SSS-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.5 A 60 V Forbedring SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 5.2 A 60 V Forbedring SOIC, DMP AEC-Q101 DMPH6050SSD-13
- DiodesZetex Type N MOSFET 40 V Forbedring SOIC Nej DMC4040SSDQ-13
- DiodesZetex Type N MOSFET 40 V Forbedring SOIC Nej DMHC4035LSD-13
- DiodesZetex Type P MOSFET 40 V Forbedring SOIC Nej DMHC4035LSDQ-13
- DiodesZetex Type N MOSFET 40 V Forbedring SOIC Nej DMC4050SSDQ-13
