DiodesZetex 4 Type N, Type P-Kanal Helbro, Effekt MOSFET, 1.8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC
- RS-varenummer:
- 169-0719
- Producentens varenummer:
- ZXMHC6A07N8TC
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 8.722,50
(ekskl. moms)
Kr. 10.902,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,489 | Kr. 8.722,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 169-0719
- Producentens varenummer:
- ZXMHC6A07N8TC
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.36W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.2nC | |
| Transistorkonfiguration | Helbro | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.36W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.2nC | ||
Transistorkonfiguration Helbro | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Supplerende udvidelsesmodus MOSFET H-bro, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Type N Effekt MOSFET 8 Ben
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Type P Effekt MOSFET 8 Ben
- DiodesZetex 4 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 4 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 30 V Forbedring SOIC