DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 580 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SM AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 823-2943
- Producentens varenummer:
- DMN601DMK-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 37,94
(ekskl. moms)
Kr. 47,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 800 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 1,897 | Kr. 37,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 823-2943
- Producentens varenummer:
- DMN601DMK-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 580mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 980mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 304nC | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 3.1mm | |
| Højde | 1.3mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 580mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 980mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 304nC | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 3.1mm | ||
Højde 1.3mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 580 mA 60 V Forbedring SM AEC-Q200 AEC-Q100
- DiodesZetex AEC-Q200 AEC-Q101 65 kHz SM
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 3.8 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 5.8 A 40 V Forbedring SOIC AEC-Q100 AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 7 A 40 V Forbedring SOIC AEC-Q200 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 1.3 A 30 V Forbedring SC-88 AEC-Q200 AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret 200 mA 60 V Forbedring SC-88 AEC-Q101 AEC-Q100
- DiodesZetex AEC-Q101 AEC-Q100 24V dc 6 Ben, SM