Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET Nej IRFP250MPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 83,98

(ekskl. moms)

Kr. 104,975

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Begrænset lager
  • Plus 255 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 16,796Kr. 83,98
25 - 45Kr. 14,436Kr. 72,18
50 - 120Kr. 13,434Kr. 67,17
125 - 245Kr. 12,432Kr. 62,16
250 +Kr. 7,57Kr. 37,85

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
827-4004
Producentens varenummer:
IRFP250MPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

TO-247

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

75mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

214W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

123nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.13mm

Højde

21.1mm

Bredde

5.2 mm

Distrelec Product Id

304-36-390

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 30A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 214W maksimal effektafledning - IRFP250MPBF


Denne N-kanal MOSFET er designet til høj ydeevne og effektivitet i en lang række applikationer. Den har en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 30 A og en drain-source-spænding på 200 V, hvilket gør den velegnet til opgaver i automations- og elektronikbranchen. Dens design sikrer en effektiv termisk ydeevne, hvilket forbedrer dens anvendelse i den elektriske og mekaniske industri.

Egenskaber og fordele


• Dynamisk dv/dt-klassificering sikrer stabilitet under drift

• Forbedrede termiske egenskaber med en driftstemperatur på op til 175 °C

• Lav on-modstand reducerer strømtab

• Fuldt lavinegodkendt, hvilket giver overspændingsbeskyttelse

• Enkle krav til drev for lettere integration i design

Anvendelsesområder


• Velegnet til højfrekvente skift

• Ideel til strømforsyninger og omformere

• Kan anvendes i motorstyringssystemer og industrielle drev

• Anvendes i systemer til vedvarende energi, f.eks. solcelleinvertere

Hvordan styres den termiske ydeevne i krævende miljøer?


De termiske modstandsegenskaber er designet til effektiv varmeafledning, hvilket muliggør drift fra -55 °C til +175 °C.

Hvad er konsekvenserne af den lave Rds(on)?


Den lave on-modstand resulterer i lavere strømspild under ledning, hvilket forbedrer den samlede systemeffektivitet og reducerer den termiske belastning på komponenterne.

Kan denne enhed bruges til parallelle konfigurationer?


Ja, designet gør det muligt at parallelkoble, øge strømkapaciteten og forbedre den termiske ydeevne i applikationer med høj effekt.

Hvad skal man være opmærksom på, når man vælger gate-drive-spændingen?


En gate-drive-spænding mellem 2V og 4V er optimal for at sikre tilstrækkelig skifteydelse og forhindre uønsket drift.

Hvilke foranstaltninger er der truffet for at beskytte mod overspænding?


MOSFET'en er fuldt avalanche-klassificeret, hvilket beskytter mod forbigående overspændinger og sikrer pålidelig drift under svingende forhold.

Relaterede links