Infineon P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V, 3 ben, DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5305TRPBF

RS-varenummer:: 827-4060P
Producentens varenummer:: IRFR5305TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon P-Kanal, MOSFET, 31 A 55 V, 3 ben, DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5305TRPBF

Der er mulighed for mængderabat

Pris Pr. stk. (Leveres på en Strip)**. Antal under 150 stk. på sammenhængende bånd

Kr. 6,594

(ekskl. moms)

Kr. 8,242

(inkl. moms)

4720 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.
100 - 180	Kr. 6,265
200 - 480	Kr. 6,003
500 - 980	Kr. 5,607
1000 +	Kr. 5,277

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 827-4060P
Producentens varenummer:: IRFR5305TRPBF
Brand:: Infineon

P-kanal MOSFET 40 V til 55 V, Infineon

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 31A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 110W maksimal effektafledning - IRFR5305TRPBF

Denne MOSFET tilbyder avanceret ydeevne til forskellige elektroniske anvendelser. Dens lave tændingsmodstand og høje strømstyrke bidrager til effektiv strømstyring. Med et robust design og pålidelige elektriske egenskaber er denne komponent velegnet til forskellige miljøer i automatiserings- og elektroniske systemer.

Egenskaber og fordele

• Opnår lav on-resistance for forbedret effektivitet
• Understøtter en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 31A
• Designet til nem brug i overflademonterede applikationer
• Kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C
• Muliggør hurtige skift for bedre ydeevne
• Tillader en maksimal effektafledning på 110W til forskellige anvendelser

Anvendelsesområder

• Anvendes i strømstyringssystemer
• Velegnet til motorstyring
• Anvendes i switching-strømforsyninger til elektroniske enheder
• Bruges i bilkredsløb for at forbedre effektiviteten

Hvad er de anbefalede loddeteknikker til installation?

Brug dampfase-, infrarød- eller bølgelodningsteknikker for at opnå optimale resultater og sikre minimal termisk belastning af komponenten.

Kan den klare miljøer med høje temperaturer?

Ja, den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til ekstreme forhold.

Hvad er betydningen af lav RDS(on)?

Lav RDS(on) reducerer effekttab, forbedrer den samlede effektivitet og mindsker varmeudviklingen under drift.

Hvordan sikrer jeg korrekt skifteadfærd?

Implementer passende gate-drive-kredsløb for at opnå præcise turn-on- og turn-off-egenskaber ved at følge de foreslåede trigger-spændinger.

Er det kompatibelt med standard PCB-layouts?

Ja, den er designet i DPAK-emballage, så den nemt kan integreres i typiske PCB-designs uden behov for særlige ændringer.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	31 A
Drain source spænding maks.	55 V
Serie	HEXFET
Kapslingstype	DPAK (TO-252)
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	65 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	110 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Længde	6.73mm
Antal elementer per chip	1
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Bredde	6.22mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	63 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Gennemgangsspænding for diode	1.3V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	2.39mm