Texas Instruments Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, NexFET Nej CSD19506KCS
- RS-varenummer:
- 827-4903
- Producentens varenummer:
- CSD19506KCS
- Brand:
- Texas Instruments
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 43,08
(ekskl. moms)
Kr. 53,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 13 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 43,08 |
| 5 - 9 | Kr. 40,92 |
| 10 - 24 | Kr. 36,73 |
| 25 - 49 | Kr. 33,29 |
| 50 + | Kr. 31,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-4903
- Producentens varenummer:
- CSD19506KCS
- Brand:
- Texas Instruments
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 273A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | NexFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 16.51mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 273A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie NexFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 16.51mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-transistorer, Texas Instruments
Relaterede links
- Texas Instruments N-Kanal 273 A 80 V TO-220, NexFET CSD19506KCS
- Texas Instruments N-Kanal 259 A 100 V TO-220, NexFET CSD19536KCS
- Texas Instruments N-Kanal 54 A 60 V TO-220, NexFET CSD18537NKCS
- Texas Instruments N-Kanal 100 A 100 V TO-220, NexFET CSD19534KCS
- Texas Instruments N-Kanal 157 A 80 V VSON-CLIP, NexFET CSD19502Q5BT
- Texas Instruments N-Kanal 349 A 60 V D2PAK (TO-263), NexFET CSD18536KTTT
- Texas Instruments N-Kanal 272 A 100 V D2PAK (TO-263), NexFET CSD19536KTTT
- Texas Instruments N-Kanal 3 A 30 V VSONP, NexFET CSD17575Q3
