Infineon N-Kanal, MOSFET, 27 A 100 V, 3 ben, DPAK (TO-252), OptiMOS 2 IPD33CN10NGBUMA1
- RS-varenummer:
- 827-5066P
- Producentens varenummer:
- IPD33CN10NGBUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 250 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 630,00
(ekskl. moms)
Kr. 787,50
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 250 - 475 | Kr. 2,52 |
| 500 + | Kr. 2,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-5066P
- Producentens varenummer:
- IPD33CN10NGBUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 27 A | |
| Drain source spænding maks. | 100 V | |
| Kapslingstype | DPAK (TO-252) | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 35 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 58 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Længde | 6.73mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 6.223mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 18 nC ved 10 V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Højde | 2.413mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 27 A | ||
Drain source spænding maks. 100 V | ||
Kapslingstype DPAK (TO-252) | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 35 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 58 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Længde 6.73mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 6.223mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 18 nC ved 10 V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Højde 2.413mm | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET serien
Infineons OptiMOS™2 N-kanal-serie har branchens laveste modstand i ledetilstand inden for deres spændingsgruppe. Power MOSFET serien kan bruges til mange formål herunder højfrekvent telekommunikation, datakommunikation, solceller, lavvolts-drev og server-strømforsyninger. OptiMOS 2 produktserien dækker fra 20 V og derover samt har et udvalg af forskellige hustyper.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD036N04LGBTMA1
- Infineon N-Kanal 82 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS T IPD70N04S3-07
- Infineon N-Kanal 30 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD220N06L3GBTMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N03S4L03ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 27 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS 2
- Infineon N-Kanal 60 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRLR2905Z
- Infineon N-Kanal 56 A 30 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3707ZTRPBF
- Infineon N-Kanal 160 A 60 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFS3306PBF