onsemi 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 4.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, IPAK (TO-251), SuperFET II

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 572,775

(ekskl. moms)

Kr. 715,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 225 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 - 75Kr. 7,637Kr. 572,78
150 - 225Kr. 5,728Kr. 429,60
300 - 450Kr. 5,559Kr. 416,93
525 - 975Kr. 4,865Kr. 364,88
1050 +Kr. 4,445Kr. 333,38

*Vejledende pris

RS-varenummer:
864-4992
Producentens varenummer:
FCU900N60Z
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.5A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

IPAK (TO-251)

Serie

SuperFET II

Benantal

3

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

52W

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Enkelt

Bredde

2.5 mm

Højde

6.3mm

Længde

6.8mm

Antal elementer per chip

1

SuperFET® og SuperFET® II N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild udviklede SuperFET® II højspændings power MOSFET serie med brug af Super Junction teknologi. Den giver den bedste robuste husdiode i AC-DC switch-mode strømforsyninger (SMPS) i sin klasse til f.eks. servere, telekommunikation, computer, strømforsyning til industri, UPS/ESS, solinverter, belysning, som kræver høj effekttæthed, systemeffektivitet og pålidelighed.

Den anvender en avanceret ladebalance-teknologi, så udviklere kan opnå mere effektive, lønsomme og højtydende løsninger, der fylder mindre på kortet og forbedrer pålideligheden.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links