onsemi 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 4.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, IPAK (TO-251), SuperFET II
- RS-varenummer:
- 864-4992
- Producentens varenummer:
- FCU900N60Z
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 75 enheder)*
Kr. 572,775
(ekskl. moms)
Kr. 715,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Udgår
- Sidste 225 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 7,637 | Kr. 572,78 |
| 150 - 225 | Kr. 5,728 | Kr. 429,60 |
| 300 - 450 | Kr. 5,559 | Kr. 416,93 |
| 525 - 975 | Kr. 4,865 | Kr. 364,88 |
| 1050 + | Kr. 4,445 | Kr. 333,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 864-4992
- Producentens varenummer:
- FCU900N60Z
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | IPAK (TO-251) | |
| Serie | SuperFET II | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Længde | 6.8mm | |
| Højde | 6.3mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype IPAK (TO-251) | ||
Serie SuperFET II | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Længde 6.8mm | ||
Højde 6.3mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
SuperFET® og SuperFET® II N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild udviklede SuperFET® II højspændings power MOSFET serie med brug af Super Junction teknologi. Den giver den bedste robuste husdiode i AC-DC switch-mode strømforsyninger (SMPS) i sin klasse til f.eks. servere, telekommunikation, computer, strømforsyning til industri, UPS/ESS, solinverter, belysning, som kræver høj effekttæthed, systemeffektivitet og pålidelighed.
Den anvender en avanceret ladebalance-teknologi, så udviklere kan opnå mere effektive, lønsomme og højtydende løsninger, der fylder mindre på kortet og forbedrer pålideligheden.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi 1 Type N-Kanal Enkelt 4.5 A 600 V Forbedring IPAK (TO-251), SuperFET II
- onsemi Type N-Kanal 14 A 50 V Forbedring IPAK (TO-251)
- onsemi Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-220, SuperFET II
- onsemi Type N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-220, SuperFET II
- onsemi Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-220, SuperFET II
- onsemi Type N-Kanal 20.6 A 600 V Forbedring TO-220, SuperFET II
- onsemi Type N-Kanal 14 A 800 V Forbedring TO-220F, SuperFET II
- onsemi Type N-Kanal 77 A 600 V Forbedring TO-247, SuperFET II