onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220F, SuperFET II

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 136,44

(ekskl. moms)

Kr. 170,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Restlager hos RS
  • Sidste 245 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 27,288Kr. 136,44
50 - 95Kr. 23,232Kr. 116,16
100 +Kr. 18,67Kr. 93,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
864-7925
Producentens varenummer:
FCPF400N80Z
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

14A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

SuperFET II

Emballagetype

TO-220F

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.4Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

43nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

35.7W

Portkildespænding maks.

30 V ac

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

4.9 mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Længde

10.36mm

Højde

16.07mm

Bilindustristandarder

Nej

SuperFET® og SuperFET® II N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild udviklede SuperFET® II højspændings power MOSFET serie med brug af Super Junction teknologi. Den giver den bedste robuste husdiode i AC-DC switch-mode strømforsyninger (SMPS) i sin klasse til f.eks. servere, telekommunikation, computer, strømforsyning til industri, UPS/ESS, solinverter, belysning, som kræver høj effekttæthed, systemeffektivitet og pålidelighed.

Den anvender en avanceret ladebalance-teknologi, så udviklere kan opnå mere effektive, lønsomme og højtydende løsninger, der fylder mindre på kortet og forbedrer pålideligheden.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links