onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 40 V Forbedring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 864-8405
- Producentens varenummer:
- FDMS8320LDC
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 91,43
(ekskl. moms)
Kr. 114,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 40 enhed(er) afsendes fra 17. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 18,286 | Kr. 91,43 |
| 10 - 95 | Kr. 15,51 | Kr. 77,55 |
| 100 - 245 | Kr. 12,434 | Kr. 62,17 |
| 250 - 495 | Kr. 11,764 | Kr. 58,82 |
| 500 + | Kr. 10,998 | Kr. 54,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 864-8405
- Producentens varenummer:
- FDMS8320LDC
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 121nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.85 mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Længde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype WDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 121nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.85 mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Længde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, over 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 192 A 40 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 40 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 45 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 35 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 14 A 40 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 12 A 150 V Forbedring WDFN, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 64 A 120 V Forbedring WDFN, PowerTrench
