IXYS N-Kanal, MOSFET, 500 A 75 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET
- RS-varenummer:
- 875-2471P
- Producentens varenummer:
- MMIX1F520N075T2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 5 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 899,45
(ekskl. moms)
Kr. 1.124,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 - 9 | Kr. 179,89 |
| 10 - 19 | Kr. 172,11 |
| 20 - 79 | Kr. 163,96 |
| 80 + | Kr. 152,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 875-2471P
- Producentens varenummer:
- MMIX1F520N075T2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 500A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Emballagetype | SMPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 24 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 545nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 830W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.25V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 25.25mm | |
| Højde | 5.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 23.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 500A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Emballagetype SMPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 24 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 545nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 830W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.25V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 25.25mm | ||
Højde 5.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 23.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS