IXYS N-Kanal, MOSFET, 600 A 40 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET
- RS-varenummer:
- 875-2475P
- Producentens varenummer:
- MMIX1T600N04T2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 2 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 520,76
(ekskl. moms)
Kr. 650,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 93 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 - 4 | Kr. 260,38 |
| 5 - 9 | Kr. 252,38 |
| 10 - 14 | Kr. 249,68 |
| 15 + | Kr. 246,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 875-2475P
- Producentens varenummer:
- MMIX1T600N04T2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 600A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Emballagetype | SMPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 24 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 830W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 590nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 23.25mm | |
| Længde | 25.25mm | |
| Højde | 5.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 600A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Emballagetype SMPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 24 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 830W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 590nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 23.25mm | ||
Længde 25.25mm | ||
Højde 5.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ serien
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS