IXYS 1 N-Kanal Enkelt, MOSFET, 132 A 250 V Forbedring, 24 Ben, SMPD, GigaMOS, HiperFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 5 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 1.373,70

(ekskl. moms)

Kr. 1.717,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 30. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
5 - 9Kr. 274,74
10 - 19Kr. 267,19
20 - 39Kr. 258,81
40 +Kr. 252,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
875-2481P
Producentens varenummer:
MMIX1F180N25T
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

132A

Drain source spænding maks. Vds

250V

Serie

GigaMOS, HiperFET

Emballagetype

SMPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

24

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

570W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Enkelt

Højde

5.7mm

Bredde

23.25mm

Længde

25.25mm

Antal elementer per chip

1

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFETTM GigaMOSTM serien


MOSFET-transistorer, IXYS


Et bredt udvalg af avancerede diskrete effekt-MOSFET-enheder fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.