STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), MDmesh M2 STB33N65M2

Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
876-5626P
Producentens varenummer:
STB33N65M2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

24 A

Drain source spænding maks.

650 V

Kapslingstype

D2PAK (TO-263)

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

140 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

2V

Effektafsættelse maks.

190 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-25 V, +25 V

Længde

10.4mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

Si

Bredde

9.35mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

41,5 nC ved 10 V

Højde

4.6mm

Serie

MDmesh M2

Gennemgangsspænding for diode

1.6V

COO (Country of Origin):
CN

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.