STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), MDmesh M2 STB33N65M2
- RS-varenummer:
- 876-5626P
- Producentens varenummer:
- STB33N65M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 800,70
(ekskl. moms)
Kr. 1.000,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 95 | Kr. 16,014 |
| 100 + | Kr. 13,812 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 876-5626P
- Producentens varenummer:
- STB33N65M2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 24 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 140 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2V | |
| Effektafsættelse maks. | 190 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -25 V, +25 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Transistormateriale | Si | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 41,5 nC ved 10 V | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 9.35mm | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.6V | |
| Højde | 4.6mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 24 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Kapslingstype D2PAK (TO-263) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 140 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2V | ||
Effektafsættelse maks. 190 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -25 V, +25 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Transistormateriale Si | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 41,5 nC ved 10 V | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 9.35mm | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.6V | ||
Højde 4.6mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MDmesh™ M2 serien, STMicroelectronics
Et udvalg af højspændings power MOSFET fra STMicroelecronics. Med deres lave gate-ladning og fremragende udgangsegenskaber, er MDmesh M2 serien perfekt til brug i resonante switching strømforsyninger (LLC konvertere).
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics