STMicroelectronics Type P-Kanal, MOSFET, 2 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, STripFET Nej STR2P3LLH6
- RS-varenummer:
- 876-5702
- Producentens varenummer:
- STR2P3LLH6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 119,85
(ekskl. moms)
Kr. 149,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 2,397 | Kr. 119,85 |
| 100 + | Kr. 2,277 | Kr. 113,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 876-5702
- Producentens varenummer:
- STR2P3LLH6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | STripFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 1.75 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie STripFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 1.75 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics P-Kanal 2 A 30 V SOT-23, STripFET STR2P3LLH6
- STMicroelectronics P-Kanal 3 A 60 V SOT-223, STripFET STN3P6F6
- STMicroelectronics N-Kanal 2 3 ben STripFET V STR2N2VH5
- STMicroelectronics N-Kanal 5 A 20 V SOT-23, STripFET V STT5N2VH5
- STMicroelectronics N-Kanal 6 3 ben STripFET STN4NF03L
- STMicroelectronics P-Kanal 12 A 30 V DPAK (TO-252), STripFET STD26P3LLH6
- STMicroelectronics P-Kanal 10 A 40 V SOIC, STripFET STS10P4LLF6
- Infineon P-Kanal 1 3 ben OptiMOS P BSS308PEH6327XTSA1
