STMicroelectronics Type P-Kanal, MOSFET, 2 A 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, STripFET
- RS-varenummer:
- 876-5702P
- Producentens varenummer:
- STR2P3LLH6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 227,70
(ekskl. moms)
Kr. 284,60
(inkl. moms)
Tilføj 250 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- 2.050 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 + | Kr. 2,277 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 876-5702P
- Producentens varenummer:
- STR2P3LLH6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | STripFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 90mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.3mm | |
| Bredde | 1.75 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie STripFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 90mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.3mm | ||
Bredde 1.75 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .