Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 3 A 900 V Forbedring, 3 Ben, SC-67, 2SK
- RS-varenummer:
- 890-2686
- Producentens varenummer:
- 2SK3564,S5Q(J
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 45,78
(ekskl. moms)
Kr. 57,225
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 9,156 | Kr. 45,78 |
| 25 - 45 | Kr. 8,962 | Kr. 44,81 |
| 50 - 95 | Kr. 8,782 | Kr. 43,91 |
| 100 - 245 | Kr. 8,602 | Kr. 43,01 |
| 250 + | Kr. 8,452 | Kr. 42,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 890-2686
- Producentens varenummer:
- 2SK3564,S5Q(J
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Emballagetype | SC-67 | |
| Serie | 2SK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10mm | |
| Højde | 15mm | |
| Bredde | 4.5 mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Emballagetype SC-67 | ||
Serie 2SK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10mm | ||
Højde 15mm | ||
Bredde 4.5 mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
MOSFET, N-kanal, 2SK serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt 5 A 900 V Forbedring SC-67, 2SK
- Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt 6 A 800 V Forbedring SC-67, 2SK
- Toshiba N-Kanal 9 A 900 V TO-3PN, 2SK 2SK3878(F)
- Toshiba N-Kanal 1 A 30 V SC-62F)
- Toshiba N-Kanal 6 A 650 V SC-67X,M)
- Toshiba Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-220
- Toshiba N-Kanal 5 A 60 V PW Mold2, 2SK 2SK4017(Q)
- Toshiba N-Kanal 50 mA 20 V USMF)