Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9 A 900 V, 3 ben, TO-3PN, 2SK 2SK3878(F)
- RS-varenummer:
- 415-354
- Producentens varenummer:
- 2SK3878(F)
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 42,71
(ekskl. moms)
Kr. 53,388
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 21,355 | Kr. 42,71 |
| 10 - 38 | Kr. 14,995 | Kr. 29,99 |
| 40 - 98 | Kr. 14,36 | Kr. 28,72 |
| 100 - 198 | Kr. 13,165 | Kr. 26,33 |
| 200 + | Kr. 12,83 | Kr. 25,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 415-354
- Producentens varenummer:
- 2SK3878(F)
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 9 A | |
| Drain source spænding maks. | 900 V | |
| Kapslingstype | TO-3PN | |
| Serie | 2SK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 1,3 Ω | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 4V | |
| Effektafsættelse maks. | 150 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Bredde | 4.8mm | |
| Transistormateriale | Si | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 60 nC ved 10 V | |
| Længde | 15.9mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Højde | 19mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 9 A | ||
Drain source spænding maks. 900 V | ||
Kapslingstype TO-3PN | ||
Serie 2SK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 1,3 Ω | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 4V | ||
Effektafsættelse maks. 150 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Bredde 4.8mm | ||
Transistormateriale Si | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 60 nC ved 10 V | ||
Længde 15.9mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Højde 19mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
MOSFET, N-kanal, 2SK serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 9 A 900 V Forbedring TO-3PN, TK
- Toshiba N-Kanal 50 mA 20 V USMF)
- Toshiba N-Kanal 1 A 30 V SC-62F)
- Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt 5 A 900 V Forbedring SC-67, 2SK
- Toshiba 1 Type N-Kanal Enkelt 3 A 900 V Forbedring SC-67, 2SK
- Toshiba Type N-Kanal 50 mA 20 V Forbedring USM, 2SK
- Toshiba N-Kanal 5 A 60 V PW Mold2, 2SK 2SK4017(Q)
- Toshiba N-Kanal 10 A 800 V TO-3PN, TK TK10J80E