Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-3PN, TK
- RS-varenummer:
- 891-2881
- Producentens varenummer:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 20,79
(ekskl. moms)
Kr. 25,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 20,79 |
| 5 - 9 | Kr. 19,67 |
| 10 - 24 | Kr. 18,55 |
| 25 - 49 | Kr. 17,58 |
| 50 + | Kr. 16,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 891-2881
- Producentens varenummer:
- TK12J60W,S1VQ(O
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-3PN | |
| Serie | TK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.7V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4.5 mm | |
| Højde | 20mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-3PN | ||
Serie TK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.7V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4.5 mm | ||
Højde 20mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba N-Kanal 62 A 600 V TO-3PNS1VQ(O
- Toshiba Type N-Kanal 39 A 600 V Forbedring TO-3PNS1VQ(O
- Toshiba Type N-Kanal 31 A 600 V Forbedring TO-3PNS1VQ(O
- Toshiba Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-3PS1VQ(O
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-220, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 20 A 600 V Forbedring TO-3P, TK Nej
- Toshiba Type N-Kanal 11.5 A 600 V Forbedring TO-220S1VX(S
- Toshiba Type N-Kanal 9 A 900 V Forbedring TO-3PN, TK Nej