Infineon N-Kanal, MOSFET, 45 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 892-2125
- Producentens varenummer:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme Kr. 92,00
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 115,27
(ekskl. moms)
Kr. 144,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.700 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 23,054 | Kr. 115,27 | - |
| 50 - 120 | Kr. 21,214 | Kr. 106,07 | Kr. 92,00 |
| 125 - 245 | Kr. 19,836 | Kr. 99,18 | Kr. 402,25 |
| 250 - 495 | Kr. 18,43 | Kr. 92,15 | Kr. 1.156,00 |
| 500 + | Kr. 17,07 | Kr. 85,35 | Kr. 2.992,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 892-2125
- Producentens varenummer:
- IPA086N10N3GXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37.5W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 16.15mm | |
| Længde | 10.65mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.85mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37.5W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 16.15mm | ||
Længde 10.65mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.85mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET i 3-serien, 45A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 37,5W maksimal effektafledning - IPA086N10N3GXKSA1
Denne MOSFET er konstrueret til højtydende anvendelser inden for automatisering, elektronik og elektroteknik. Som effekttransistor forbedrer den strømstyringen ved at give fremragende effektivitet og pålidelighed. Dens holdbare design understøtter højfrekvente skift, hvilket gør den velegnet til miljøer, hvor stærk ydeevne er afgørende.
Egenskaber og fordele
• N-kanal-konfiguration optimerer strømstyringen
• Lav on-modstand forbedrer systemets samlede effektivitet
• Fungerer ved temperaturer op til +175 °C for fleksible anvendelser
• Fuldt isoleret pakke forbedrer sikkerheden under drift
• Overholder RoHS- og halogenfri standarder for miljøvenlig brug
Anvendelsesområder
• Ideel til højfrekvente skift i elektroniske enheder
• Anvendes i synkron ensretning for at maksimere effektiviteten
• Velegnet til der kræver håndtering af høj strøm
• Effektiv i temperaturfølsomme miljøer på grund af robust termisk ydeevne
Hvad er betydningen af den lave tændingsmodstand i denne enhed?
Den lave tændingsmodstand reducerer strømtab under drift, hvilket fører til forbedret effektivitet i strømstyringskredsløb. Det resulterer i mindre varmeudvikling og en bedre samlet ydeevne.
Kan denne MOSFET bruges i bilindustrien?
Ja, den er velegnet til bilindustrien, da den opfylder kravene til ydeevne ved høje temperaturer og giver pålidelig drift under varierende belastningsforhold.
Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen kredsløbets funktion?
Gate-tærskelspændingen bestemmer, hvornår MOSFET'en begynder at lede. I dette tilfælde går den fra 2 V til 3,5 V, hvilket sikrer, at aktivering kun sker under passende spændingsniveauer og dermed beskytter andre komponenter.
Hvilke typer kredsløb er mest kompatible med denne effekttransistor?
Denne effekttransistor er kompatibel med højfrekvente switching-kredsløb og synkron ensretning, hvilket giver alsidighed til forskellige elektroniske designs.
Hvordan skal MOSFET'en monteres for at opnå optimal ydelse?
MOSFET'en skal monteres ved hjælp af gennemgående huller for at sikre sikre forbindelser og effektiv varmeafledning baseret på dens specifikationer for termisk modstand.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 45 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 64 A 250 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3