Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3 Nej IPA086N10N3GXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 64,72

(ekskl. moms)

Kr. 80,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.730 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,944Kr. 64,72
50 - 120Kr. 11,922Kr. 59,61
125 - 245Kr. 11,144Kr. 55,72
250 - 495Kr. 10,356Kr. 51,78
500 +Kr. 9,592Kr. 47,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
892-2125
Producentens varenummer:
IPA086N10N3GXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

37.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.85 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.65mm

Højde

16.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™ MOSFET i 3-serien, 45A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 37,5W maksimal effektafledning - IPA086N10N3GXKSA1


Denne MOSFET er konstrueret til højtydende anvendelser inden for automatisering, elektronik og elektroteknik. Som effekttransistor forbedrer den strømstyringen ved at give fremragende effektivitet og pålidelighed. Dens holdbare design understøtter højfrekvente skift, hvilket gør den velegnet til miljøer, hvor stærk ydeevne er afgørende.

Egenskaber og fordele


• N-kanal-konfiguration optimerer strømstyringen

• Lav on-modstand forbedrer systemets samlede effektivitet

• Fungerer ved temperaturer op til +175 °C for fleksible anvendelser

• Fuldt isoleret pakke forbedrer sikkerheden under drift

• Overholder RoHS- og halogenfri standarder for miljøvenlig brug

Anvendelsesområder


• Ideel til højfrekvente skift i elektroniske enheder

• Anvendes i synkron ensretning for at maksimere effektiviteten

• Velegnet til der kræver håndtering af høj strøm

• Effektiv i temperaturfølsomme miljøer på grund af robust termisk ydeevne

Hvad er betydningen af den lave tændingsmodstand i denne enhed?


Den lave tændingsmodstand reducerer strømtab under drift, hvilket fører til forbedret effektivitet i strømstyringskredsløb. Det resulterer i mindre varmeudvikling og en bedre samlet ydeevne.

Kan denne MOSFET bruges i bilindustrien?


Ja, den er velegnet til bilindustrien, da den opfylder kravene til ydeevne ved høje temperaturer og giver pålidelig drift under varierende belastningsforhold.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen kredsløbets funktion?


Gate-tærskelspændingen bestemmer, hvornår MOSFET'en begynder at lede. I dette tilfælde går den fra 2 V til 3,5 V, hvilket sikrer, at aktivering kun sker under passende spændingsniveauer og dermed beskytter andre komponenter.

Hvilke typer kredsløb er mest kompatible med denne effekttransistor?


Denne effekttransistor er kompatibel med højfrekvente switching-kredsløb og synkron ensretning, hvilket giver alsidighed til forskellige elektroniske designs.

Hvordan skal MOSFET'en monteres for at opnå optimal ydelse?


MOSFET'en skal monteres ved hjælp af gennemgående huller for at sikre sikre forbindelser og effektiv varmeafledning baseret på dens specifikationer for termisk modstand.

Relaterede links