Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9,7 A 600 V, 3 ben, DPAK (TO-252), TK TK10P60W,RVQ(S

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
896-2640
Producentens varenummer:
TK10P60W,RVQ(S
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

9,7 A

Drain source spænding maks.

600 V

Serie

TK

Kapslingstype

DPAK (TO-252)

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

430 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3.7V

Effektafsættelse maks.

80 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Transistormateriale

Si

Bredde

7.18mm

Antal elementer per chip

1

Gate-ladning ved Vgs typisk

20 nC ved 10 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

6.6mm

Højde

2.3mm

COO (Country of Origin):
CN


MOSFET-transistorer, Toshiba

Relaterede links