Infineon N-Kanal, MOSFET, 254 A 40 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), StrongIRFET IRL40B212
- RS-varenummer:
- 896-7346P
- Producentens varenummer:
- IRL40B212
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 446,50
(ekskl. moms)
Kr. 558,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 - 120 | Kr. 17,86 |
| 125 - 245 | Kr. 15,50 |
| 250 - 620 | Kr. 14,712 |
| 625 + | Kr. 13,138 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 896-7346P
- Producentens varenummer:
- IRL40B212
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 254 A | |
| Drain source spænding maks. | 40 V | |
| Kapslingstype | D2PAK (TO-263) | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 2,4 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 2.4V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 1V | |
| Effektafsættelse maks. | 231 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | -20 V, +20 V | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 91 nC | |
| Længde | 10.67mm | |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Transistormateriale | Si | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.2V | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 254 A | ||
Drain source spænding maks. 40 V | ||
Kapslingstype D2PAK (TO-263) | ||
Serie StrongIRFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 2,4 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 2.4V | ||
Mindste tærskelspænding for port 1V | ||
Effektafsættelse maks. 231 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 91 nC | ||
Længde 10.67mm | ||
Driftstemperatur maks. +175 °C | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Transistormateriale Si | ||
Bredde 9.65mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.2V | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||