Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 120 V, 3 ben, TO-220, OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1

RS-varenummer:: 897-7311P
Producentens varenummer:: IPP041N12N3GXKSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 120 V, 3 ben, TO-220, OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1

Pris pr. stk. Pr. stk. (Leveres i Rør)

Kr. 12,42

(ekskl. moms)

Kr. 15,52

(inkl. moms)

384 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.
2 +	Kr. 12,42

RS-varenummer:: 897-7311P
Producentens varenummer:: IPP041N12N3GXKSA1
Brand:: Infineon

IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G, IPB038N12N3 G, OptiMOS3 Power MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	120 A
Drain source spænding maks.	120 V
Kapslingstype	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	4,1 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	300 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Antal elementer per chip	1
Transistormateriale	Si
Bredde	4.57mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	158 nC
Længde	10.36mm
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Højde	15.95mm
Gennemgangsspænding for diode	1.2V
Driftstemperatur min.	-55 °C

Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 120 V, 3 ben, TO-220, OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover