Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP Nej IPA60R199CPXKSA1
- RS-varenummer:
- 897-7400
- Producentens varenummer:
- IPA60R199CPXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 108,02
(ekskl. moms)
Kr. 135,024
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 276 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | Kr. 27,005 | Kr. 108,02 |
| 20 - 36 | Kr. 25,658 | Kr. 102,63 |
| 40 - 96 | Kr. 24,573 | Kr. 98,29 |
| 100 - 196 | Kr. 22,963 | Kr. 91,85 |
| 200 + | Kr. 21,598 | Kr. 86,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 897-7400
- Producentens varenummer:
- IPA60R199CPXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 199mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.65mm | |
| Højde | 16.15mm | |
| Bredde | 4.85 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 199mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.65mm | ||
Højde 16.15mm | ||
Bredde 4.85 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS CP Nej
- Infineon Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP Nej
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP Nej
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP Nej
- Infineon Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP Nej IPW60R165CPFKSA1
- Infineon Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP Nej IPW60R125CPFKSA1
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP Nej IPW60R099CPFKSA1
- Infineon Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP Nej IPW60R045CPFKSA1
