Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C6
- RS-varenummer:
- 898-6895
- Producentens varenummer:
- IPP60R099C6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 80,04
(ekskl. moms)
Kr. 100,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 390 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
- Plus 254 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 40,02 | Kr. 80,04 |
| 10 - 18 | Kr. 35,64 | Kr. 71,28 |
| 20 - 48 | Kr. 33,25 | Kr. 66,50 |
| 50 - 98 | Kr. 31,23 | Kr. 62,46 |
| 100 + | Kr. 28,80 | Kr. 57,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 898-6895
- Producentens varenummer:
- IPP60R099C6XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C6 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 119nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 35W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.65mm | |
| Højde | 16.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C6 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 119nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 35W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.65mm | ||
Højde 16.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 38 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS C6
- Infineon Type N-Kanal 38 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Type N-Kanal 77 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Type N-Kanal 10.6 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS C6
- Infineon Type N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C6
- Infineon Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS