Texas Instruments N-Kanal, MOSFET, 100 A 100 V, 3 ben, TO-220, NexFET CSD19534KCS

Brand

Texas Instruments

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

100 A

Drain source spænding maks.

100 V

Kapslingstype

TO-220

Serie

NexFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

20 mΩ

Kanalform

Enhancement

Effektafsættelse maks.

118 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Gate-ladning ved Vgs typisk

17,1 nC ved 0 V

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Længde

10.67mm

Bredde

4.7mm

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur min.

-55 °C

Højde

16.51mm

Gennemgangsspænding for diode

1.1V