STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7

Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 66,78

(ekskl. moms)

Kr. 83,475

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.825 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
5 +Kr. 13,356

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4668P
Producentens varenummer:
STB100N6F7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

STripFET F7

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.6nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.6mm

Længde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics


STMicroelectronics STripFET™ F7-serien af lavspændings-MOSFET'er har lavere on-state-modstand med reduceret intern kapacitet og gate-opladning for hurtigere og mere effektiv kobling.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics