Infineon 1 Type N, Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 104 A 55 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, LogicFET

RS-varenummer:: 913-3869
Producentens varenummer:: IRL2505PBF
Brand:: Infineon

Infineon 1 Type N, Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 104 A 55 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, LogicFET

Kan ikke leveres i øjeblikket

Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.

RS-varenummer:: 913-3869
Producentens varenummer:: IRL2505PBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N, Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	104A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Serie	LogicFET
	Emballagetype	JEDEC TO-220AB
	Monteringstype	Hulmontering, Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	8mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	130nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	200W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Længde	10.54mm
	Højde	8.77mm
	Standarder/godkendelser	No
	Antal elementer per chip	1
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N, Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 104A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Serie LogicFET
	Emballagetype JEDEC TO-220AB
	Monteringstype Hulmontering, Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 8mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 130nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 200W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Længde 10.54mm
	Højde 8.77mm
	Standarder/godkendelser No
	Antal elementer per chip 1
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon LogicFET Series MOSFET, 104A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRL2505PBF

Denne MOSFET er designet til højtydende applikationer, der kræver effektiv energistyring. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 104 A og en drain-source-spænding på op til 55 V er det en konkurrencedygtig løsning på markedet. Den robuste konstruktion og de avancerede specifikationer gør den velegnet til forskellige automatiserings- og elektronikopgaver.

Egenskaber og fordele

• Lav tændingsmodstand på 8mΩ reducerer varmeudvikling

• Maksimal effektafledning på 200 W forbedrer ydeevnen

• Montering gennem huller giver lettere integration

• Lavt behov for gate charge forbedrer driftseffektiviteten

• Enhancement mode-design sikrer ydeevne under udfordrende forhold

Anvendelsesområder

• Strømafbrydelse for effektiv kontrol

• Motorkredsløb til regulering af hastighed og drejningsmoment

• Automatiserede systemer, der kræver høj strømstyring

• Strømforsyninger og konverteringskredsløb for at opretholde et stabilt output

• Industrielle maskiner til forbedret effekthåndtering

Hvad er gate-tærskelspændingen til brug?

Gate-tærskelspændingen ligger mellem 1V og 2V, hvilket giver fleksibilitet til forskellige anvendelser.

Hvordan påvirker temperaturen ydeevnen?

Denne enhed kan fungere effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til barske miljøforhold.

Kan den håndtere pulserende strøm?

Ja, den kan håndtere pulserende afløbsstrømme på op til 360 A, hvilket sikrer pålidelighed under kortvarige anvendelser.

Hvilket spændingsniveau kan styres over drain-source?

Den understøtter en maksimal spænding på 55 V, hvilket er ideelt til de fleste almindelige anvendelser.

N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.