Infineon N-Kanal, MOSFET, 127 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 915-5045
- Producentens varenummer:
- IRFS4310ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (4 enheder, i en pakke med 4)*
Kr. 104,12
(ekskl. moms)
Kr. 130,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 316 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | Kr. 26,03 | Kr. 104,12 |
| 20 - 36 | Kr. 24,703 | Kr. 98,81 |
| 40 - 96 | Kr. 23,693 | Kr. 94,77 |
| 100 - 196 | Kr. 22,103 | Kr. 88,41 |
| 200 + | Kr. 20,85 | Kr. 83,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 915-5045
- Producentens varenummer:
- IRFS4310ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 127A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 120nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 11.3mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 127A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 120nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 11.3mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 127 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 320 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 85 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 94 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 86 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 195 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 340 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 523 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101