Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 195 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 915-5033
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-468
- Producentens varenummer:
- IRFS4115TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 100,532
(ekskl. moms)
Kr. 125,664
(inkl. moms)
Tilføj 24 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 124 enhed(er) afsendes fra 20. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | Kr. 25,133 | Kr. 100,53 |
| 20 - 36 | Kr. 22,628 | Kr. 90,51 |
| 40 - 96 | Kr. 21,113 | Kr. 84,45 |
| 100 - 196 | Kr. 19,618 | Kr. 78,47 |
| 200 + | Kr. 18,083 | Kr. 72,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 915-5033
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-468
- Producentens varenummer:
- IRFS4115TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 195A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 77nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 11.3 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 195A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 77nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 11.3 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal Power MOSFET fra 150 V til 600 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 195 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 105 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 250 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 340 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 86 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 85 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 320 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101