IXYS N-Kanal, MOSFET, 4 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, X2-Class
- RS-varenummer:
- 917-1485
- Producentens varenummer:
- IXTP4N65X2
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 132,75
(ekskl. moms)
Kr. 165,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 07. september 2026
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 07. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 26,55 | Kr. 132,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-1485
- Producentens varenummer:
- IXTP4N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 850mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 15.9mm | |
| Højde | 4.7mm | |
| Længde | 10.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 850mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 15.9mm | ||
Højde 4.7mm | ||
Længde 10.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power-MOSFET, IXYS X2-Class serien
Serien IXYS X2 klasse Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er, og dette medfører reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en egensikker diode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS