STMicroelectronics Enkelt Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 125 V Forbedring, 4 Ben, M174, SD2931
- RS-varenummer:
- 917-3356
- Producentens varenummer:
- SD2931-10W
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 618,60
(ekskl. moms)
Kr. 773,25
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 618,60 |
| 5 - 9 | Kr. 606,25 |
| 10 - 14 | Kr. 587,63 |
| 15 - 19 | Kr. 581,50 |
| 20 + | Kr. 575,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-3356
- Producentens varenummer:
- SD2931-10W
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 125V | |
| Udgangseffekt | 150W | |
| Serie | SD2931 | |
| Emballagetype | M174 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 65°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 26.67mm | |
| Højde | 4.11mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Effektforstærkning typisk | 14dB | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 125V | ||
Udgangseffekt 150W | ||
Serie SD2931 | ||
Emballagetype M174 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 65°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 26.67mm | ||
Højde 4.11mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Effektforstærkning typisk 14dB | ||
RF MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
LDMOS radiofrekvenstransistorer er velegnet til L-bånds satellit uplinks og DMOS effekttransistorer til anvendelser, der spænder fra 1 MHz til 2 GHz.