STMicroelectronics Enkelt Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 125 V Forbedring, 4 Ben, M174, SD2931 Nej SD2931-10W
- RS-varenummer:
- 917-3356
- Producentens varenummer:
- SD2931-10W
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 602,44
(ekskl. moms)
Kr. 753,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
- Plus 52 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 602,44 |
| 5 - 9 | Kr. 590,47 |
| 10 - 14 | Kr. 572,29 |
| 15 - 19 | Kr. 566,31 |
| 20 + | Kr. 560,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-3356
- Producentens varenummer:
- SD2931-10W
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Driftsfrekvens | 230 MHz | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Udgangseffekt | 150W | |
| Drain source spænding maks. Vds | 125V | |
| Serie | SD2931 | |
| Emballagetype | M174 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | 65°C | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.11mm | |
| Længde | 26.67mm | |
| Bredde | 24.89 mm | |
| Effektforstærkning typisk | 14dB | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Driftsfrekvens 230 MHz | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Udgangseffekt 150W | ||
Drain source spænding maks. Vds 125V | ||
Serie SD2931 | ||
Emballagetype M174 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur 65°C | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.11mm | ||
Længde 26.67mm | ||
Bredde 24.89 mm | ||
Effektforstærkning typisk 14dB | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RF MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
LDMOS radiofrekvenstransistorer er velegnet til L-bånds satellit uplinks og DMOS effekttransistorer til anvendelser, der spænder fra 1 MHz til 2 GHz.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 125 V M174 SD2931-10W
- STMicroelectronics N-Kanal 125 A 100 V PowerFLAT 5x6 STL120N10F8
- STMicroelectronics N-Kanal 125 A 100 V PowerFLAT, STL125N10F8AG STL125N10F8AG
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A DPAK STD65N160M9
- STMicroelectronics N/P-Kanal-Kanal 31 ben MASTERG MASTERGAN4LTR
- STMicroelectronics N/P-Kanal-Kanal 31 ben MASTERG MASTERGAN1LTR
- STMicroelectronics N-Kanal 20 A 1200 V H2PAK-2, SiC MOSFET SCT20N120H
- STMicroelectronics N/P-Kanal-Kanal 64 ben L98GD L98GD8TR
