onsemi 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 917-5500
- Producentens varenummer:
- FDS9945
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 120,28
(ekskl. moms)
Kr. 150,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 2.275 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 4,811 | Kr. 120,28 |
| 100 - 475 | Kr. 3,48 | Kr. 87,00 |
| 500 - 975 | Kr. 2,902 | Kr. 72,55 |
| 1000 - 2475 | Kr. 2,474 | Kr. 61,85 |
| 2500 + | Kr. 2,208 | Kr. 55,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-5500
- Producentens varenummer:
- FDS9945
- Brand:
- onsemi
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
Relaterede links
- onsemi 2 N-Kanal Isoleret 3.5 A 60 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 N-Kanal Isoleret 3.5 A 100 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 6.1 A 60 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 18 A 60 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 10 A 60 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 12 A 60 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 3.5 A 20 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 3.4 A 100 V Forbedring SOIC, PowerTrench
