onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFN Nej NTMFS5C430NLT1G
- RS-varenummer:
- 920-9903
- Producentens varenummer:
- NTMFS5C430NLT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 52,66
(ekskl. moms)
Kr. 65,825
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.110 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,532 | Kr. 52,66 |
| 50 - 95 | Kr. 9,08 | Kr. 45,40 |
| 100 - 495 | Kr. 7,884 | Kr. 39,42 |
| 500 - 995 | Kr. 6,926 | Kr. 34,63 |
| 1000 + | Kr. 6,298 | Kr. 31,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 920-9903
- Producentens varenummer:
- NTMFS5C430NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.81V | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5.1mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.81V | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5.1mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring DFN Nej
- onsemi Type N-Kanal 313 A 40 V Forbedring DFN Nej
- onsemi Type N-Kanal 313 A 40 V Forbedring DFN Nej NTMFSC0D9N04CL
- onsemi Type N-Kanal 37 A 40 V Forbedring DFN, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 554.5 A 40 V Forbedring DFN, NTMTS0D6N04CL Nej
- onsemi Type N-Kanal 235 A 40 V Forbedring DFN, NTMFS5C430N Nej
- onsemi Type N-Kanal 78 A 40 V Forbedring DFN, NTMFS Nej
- onsemi Type N-Kanal 268 A 40 V Forbedring DFN, NVMFS5C Nej
