DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 38 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 921-1085
- Producentens varenummer:
- DMN3016LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 97,50
(ekskl. moms)
Kr. 121,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 4,875 | Kr. 97,50 |
| 100 + | Kr. 4,388 | Kr. 87,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 921-1085
- Producentens varenummer:
- DMN3016LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.8W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.39mm | |
| Længde | 6.2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.8W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.39mm | ||
Længde 6.2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 38 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 12.2 A 40 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 14.4 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 28 A 40 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 43 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 15 A 30 V Forbedring TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.3 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN AEC-Q101