DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 12.2 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 169-0691
- Producentens varenummer:
- DMN4036LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 3.677,50
(ekskl. moms)
Kr. 4.597,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,471 | Kr. 3.677,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 169-0691
- Producentens varenummer:
- DMN4036LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 61mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 8.49W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.96V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.2nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 61mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 8.49W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.96V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.2nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 12.2 A 40 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101 DMN4036LK3-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 28 A 40 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 43 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 38 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 14.4 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 14.4 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101 DMN3024LK3-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 43 A 30 V Forbedring TO-252, DMN AEC-Q101 DMN3010LK3-13
