DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, ZXMN6A08G AEC-Q100
- RS-varenummer:
- 922-8014
- Producentens varenummer:
- ZXMN6A08GTA
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 2.267,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.834,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 2,267 | Kr. 2.267,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 922-8014
- Producentens varenummer:
- ZXMN6A08GTA
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-223 | |
| Serie | ZXMN6A08G | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.9W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.7mm | |
| Højde | 1.8mm | |
| Bredde | 3.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-223 | ||
Serie ZXMN6A08G | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.9W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.7mm | ||
Højde 1.8mm | ||
Bredde 3.7 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 5.3 A 60 V SOT-223 ZXMN6A08GTA
- DiodesZetex N-Kanal 7.5 A 60 V SOT-223 ZXMN6A09GTA
- DiodesZetex N-Kanal 4 3 ben, SOT-223 ZXMN6A11GTA
- DiodesZetex N-Kanal 1 A 60 V SOT-223 ZVN4206GTA
- DiodesZetex N-Kanal 710 mA 60 V SOT-223 ZVN2106GTA
- DiodesZetex N-Kanal 7 3 ben, SOT-223 ZXMN6A09GTA
- DiodesZetex N-Kanal 2 3 ben, SOT-223 ZVN4306GTA
- DiodesZetex N-Kanal 4.4 A 60 V SOT-223 ZXMN6A11GTA
